No abstract

No abstract

No abstract

Аннотация. В статье предложена концептуальная схема (парадигма) практических взглядов и подходов в отношении технологии связных математическим, криптографическим и иным способом данных, рассматриваемых с позиции математики как некоторое множество М, элементами которого могут являться множества, а также конструктивные, гибридные и иные объекты, включающие, в том числе, информационную и служебную составляющие. Вводятся понятия связного множества, размерности его структуры и силы установленной связи. Утверждается, что потенциал практического применения различных систем связных данных, особенно нетрадиционно организованных структур многомерно связных данных, гораздо выше, чем это представляется в настоящее время. В качестве примера предложены двумерная структура множества М в виде цилиндрической трубы (линейно-кольцевая структура) и трехмерная структура в ортогональном базисе в виде куба (параллелепипеда), которые могут иметь перспективы практического использования в различных проектах цифровой экономики, где данные используются одновременно в нескольких процессах. Ключевые слова: технологии связных данных, технологии блокчейна, связное множество, структура связного множества, размерность структуры связного множества, сила связи элементов связного множества.

Conductance compensation of Cd1‐xZnxTe:Cl crystals with variable content of Zn (x = 0,0002, 0,005, 0,01 and 0,05) for nuclear detectors both during postgrowth annealing of ingots and at annealing of separate samples at different vapor pressures of Cd was investigated. It is established that to obtain the Cd1‐xZnxTe:Cl crystals (x≥0.05) with the best transport performances, it is necessary to control cadmium vapour pressure as well as zinc vapour pressure of during material growing. On crystals with Zn content x=0.0002; 0.005; 0.01 with annealing of conditions change it was possible to achieve high values of μeτeand μhτh, comparable with these values for CdTe:Cl. For crystals with x=0.05; 0.1 μeτeand μhτh practically did not depend on conditions of postgrowth annealing (© 2010 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)