No abstract

A method is proposed to test microelectronic parts total ionizing dose hardness based on a rationally balanced combination of gamma-and X-ray irradiation facilities. The scope of this method is identified, and a step-by-step algorithm of combined testing is provided, along with a test example of the method application.

No abstract

No abstract

Аннотация. Одним из основных направлений обеспечения безопасности киберфизических систем является создание и внедрение технологий гарантированно устойчивых к различным видам внешних воздействий. Ключевым аспектом создания таких устойчивых технических устройств является применение в разработках стойкой к внешним воздействующим факторам (ВВФ) элементной компонентной базы (ЭКБ). Актуальность данной проблемы определяется в частности ростом доли контрафактной продукции в электронике как международного тренда, определяющего необходимость идентифицировать изделия, предназначенные для ответственных применений. Помимо выявления контрафакта идентификация изделий элементной компонентной базы необходима для достоверной и информативной оценки стойкости к внешним воздействующим факторам. Одна из основных задач методики оценки стойкости-установить эффективный баланс между достоверностью результатов тестирования и трудоемкостью процедуры. Трудности оптимизации заключены в основном в количестве разрушенных образцов, необходимом объеме собираемой информации, обеспечении выявления контрафакта. В работе представлена эффективная процедура идентификации, совмещающая «разрушающие» и «неразрушающие» виды проверок, выявление контрафакта, неоднородности выборки, подозрительных изделий. Усовершенствована процедура идентификации образцов выборок для проведения испытаний. Приведены примеры экспериментально выявленных случаев контрафакта. Показана необходимость идентификации для обеспечения достоверности и информативности результатов испытаний. Также приведены дополнительные преимущества от получаемой в ходе процедуры информации при оптимальной реализации.