The paper considers the characteristics of single crystals SiC and power semiconductor devices with a Schottky barrier based on it. Such devices are designed to work in extreme operating conditions: high temperatures, pressures, radiation and chemical resistance. At the same time, power electronic keys should not lose their declared properties up to 400-500 C°. The forward and inverse Volt-ampere characteristics diodes with the Schottky barrier based on SiC are given. Ключевые слова: монокристаллы SiC, твердые растворы, барьер Шоттки, вольт-амперная характеристика.

2 Обнинский институт атомной энергетики (МИФИ), Обнинск В работе приведены результаты разработки и оптимизации ускоренных режимов технологии (6-10 ч вместо 50-60 ч) получения массивных образцов Tl (Bi) ВТСП-керамики с рекордными параметрами (температурами сверхпроводящего перехода (Tc) до 205 К, плотностью транспортного критического тока (Jc) вплоть до десятков тысяч и более А/см 2 ). Показана возможность получения образцов с Tc до 150-205 К и выше. Приведены сведения по практическому применению массивных образцов ВТСП-керамики: таблетки, массивные образцы, изделия. Общая себестоимость изделий из новых ВТСП-материалов при серийном производстве будет существенно ниже, чем у ВТСП-материалов второго поколения. По нашим оценкам, только производство 1 км транспортного силового кабеля, изготовленного по этой технологии, в 700-800 раз дешевле аналогичного по физическим параметрам кабеля, изготовленного по «сэндвичной» технологии. Нужно учесть и дешевизну эксплуатации кабеля, работающего при температуре «сухого льда» по сравнению со стоимостью обслуживания силового кабеля, изготовленного по технологии ВТСП-материалов второго поколения и работающего при температуре жидкого азота. Предлагаемые авторами ускоренные технологические режимы синтеза ВТСП-керамики и теоретическая обработка полученных результатов в значительной мере решают задачу реализации ускоренной производственной технологии получения ВТСП материалов.