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Resumo Neste trabalho, utilizamos técnicas de espectroscopia ultrarrápida para mapear a dinâmica eletrônica em semicondutores nanométricos, do tipo núcleo/liga/casca. As amostras estudadas apresentam a estrutura InP/ZnSexS1-x/ZnS, onde x assume quatro valores diferentes entre zero e um. À medida que diminuimos a porcentagem de ZnSe, esperamos que as funções de onda dos portadores fiquem cada vez mais localizadas no núcleo de InP, assim, pretendemos observar uma forte mudança na dinâmica bi-éxiton no estado excitado¹.