The photoconductivity of amorphous germanium is measured as a function of temperature, annealing temperature, and intensity of the incident light. The photocurrent depends only weakly on sample temperature and annealing state, in contrast to the behaviour of the dark current. The dependence of the photocurrent on light. intensity is linear to sublinear. The results are explained by hopping photoconduction of excess carriers around the Fermi level. Results of model calculations are in good qualitative agreement with the experiments.E s wird die Photoleitfahigkeit von amorphem Germanium in Abhangigkeit von der Temperatur, Temperungstemperatur und Intensitst des einfallenden Lichts unt'ersucht. Der Photostrom hBngt nur schwach von der Probentemperatur und dem Temperungszustand ab, im Gegensatz zum Verhalten des Dunkelstroms. Die Abhangigkeit des Photostroms von der Lichtintensitat ist linear bis sublinear. Die Ergebnisse werden mit Hopping-Leitfahigkeit von ifberschuBladungstragern in der Nahe der Fermigrenze erklart. Ergebnisse von Modellberechnungen befinden sich in guter qualitativer nbereinstimmung mit den Experimenten.