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The properties of the electron-hole plasma in direct-band-gap semiconductors are investigated by exciteand probe-beam techniques with use of CdS and CdSe as examples. By spatially resolved transmission and reflection spectroscopy and by using samples of different thicknesses, the diffusion length and other data of the plasma are determined. A "slow drift" is found, i.e. , the drift velocity is smaller than the Fermi velocities of electrons and holes. The drift distances are of the order of 10 pm with some significant differences between CdS and CdSe. Various models used in the literature to fit the observed gain spectra are critically discussed.

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The influence of localization on the nonlinear optical properties of CdSl-zSe, is investigated for 0 5 x 2 1 in the temperature range from 5 to 300 I ( . Results from time-integrated and time-resolved luminescence, from pump-and probebeam experiments, and from measurements using her-induced gratings are given. From all investigations likewise free a.nd "localized" excitons are found in the mixed crystals a t temperatures below 60 K, with a spectrallyrather broad transition region. The mobility of the "lomlized" excitons is non-zero but is decreased by morethanafactor three with respeot to free excitons. Above 60 K, the optical properties approach those of the pure compounds and are dominated by the formation of an electron-hole plasma a t high excitation intcnsities. This process reflects a delocalization of the excited electron-hole pairs due to thermal reexcitation from "localized" into extended states.Der EinfluB der Lokalisierung auf die nichtlinearen optischen Eigenschaften von CdSl-&, fur 0 5 x 5 1 im Temperaturbereich zwischen 5 und 300 K wird untersucht und Ergebnisse von zeitintegrierten und zeitaufgelosten Lumineszenzuntersuchungen, von Zweietrahlexperimenten und von Messungen an laserinduzierten Gittern mitgeteilt. I n den Mischkristallen werden in allen Experimenten iibereinstimmend freie und "lokalisierte" Exzitonen bei Temperatwen unterhalb von 60 K m i t einern spektral relativ breiten ffbergangsgebiet gefunden. Die Beweglichkeit dieser ,,lokalisierten" Exzitonen ist von Null verschieden, aber um mindestens einen Faktor drei kleiner als die der freien Exzitonen. Oberhalb von 60 I ( gleichen die optischen Eigenschaften denen der reinen Materialien und wordon bestimmt durch die Bildung eines Elektron-Loch-Plasmas bei bohen Anregungsintensitiiten. Dieses Verhalten spiegelt die Delokalisierung der Ladungstriiger aufgrund thermischer Anregung aus ,,lokalisierten" in ausgedehnte Zustiinde wider.