INTRODUÇÃOO desenvolvimento de materiais semicondutores, com propriedades ópticas ativas como fotoluminescência (FL), eletroluminescência, ou propriedades ópticas não lineares pode conduzir a novos dispositivos com desempenho superior ou a diferentes modos de atuação [1,2]. Neste sentido, tem havido atualmente um interesse muito grande, no estudo da FL, em materiais amorfos ou materiais não estruturados. Isso é confirmado pelo intenso esforço de pesquisa, que vem sendo feito no estudo de vários tipos de FL visível, em temperatura ambiente, como por exemplo no caso do silício poroso [3]. ResumoDiscutiu-se a fotoluminescência para o tungstato de cálcio amorfo, observada à temperatura ambiente. Verificou-se que há concordância entre os resultados experimentais e teóricos. Neste trabalho foram simuladas as estruturas cristalinas e amorfas do tungstato de cálcio (CaWO 4 ), comparando-se as respectivas estruturas eletrônicas. Os resultados dos cálculos teóricos indicam a formação de novos níveis de energia na banda de valência e de condução do amorfo. Estes níveis eletrônicos extras são os responsáveis pela formação da cauda na curva do espectro de absorção. Correspondentemente, medidas experimentais de absorção óptica mostraram a presença da cauda, com relação ao espectro do cristalino. Desta forma, pode-se interpretar a formação da cauda, como sendo associada aos defeitos promovidos na estrutura desordenada do material amorfo. Palavras-chave: fotoluminescência, processamento químico, mecânica quântica. Abstract