A method is developed enabling one to take account of the influence of an arbitrary random-field probability functional of a disordered semiconductor on both the interband dielectric function E ( W ) and its external field induced change AE(w). The influence of a deformation of the Gaussian distribution upon E ( W ) and Ae(w) is considered. The corresponding plots are presented. The change of the exponential linear tail in ez(w) due to the random Franz-Keldysh effect is found to be small. The functions Ae,(w) and AeZ(w), however, are more sensitive to the particular form of the random-field probability functional.Eine Methode wird entmickelt, die es ermoglicht, den EinflitB eines beliebigen Wahrscheinlichkeitsfnnktionals des zufalligen Feldes eines ungeordneten Halbleiters auf den Interbandanteil der dielektrischen Funktion E ( W ) und ihre feldmodulierte h d e r u n g Ae(w) zu beriicksichtigen. Der EinfluB einer Deformation der GauBverteilung auf E ( W ) und AE(w) wird betrachtet. Die entsprechenden Darstellungen werden gezeigt. Die dnderung des durch den zuflllligen Franz-Keldysh-Effekt verursachten exponentiell linearen Auslaufers in E~( w ) ist klein. Die Funktionen Ael(o) und As,(to) sind jedoch empfindlicher bezuglich der speziellen Form des Wahrscheinlichkeitsfnnl~tionals des zufalligen Feldes.

Unrecht Gut gedeihet nicht. 8 Vgl. den Kommentar der Neuen Zürcher Zeitung »Diktatur des Rechtsnach Putins Façon« vom 1. November 2003, sowie das NZZ Dossier zur Yukos-Affäre [www.nzz.ch/dossiers/2003/russland/index_artikel.html]. 9 Dazu am Beispiel des Embargostrafrechts im Zusammenhang mit den Jugoslawischen Sezessionskriegen Herzo g wistra 2000, 41 (ff.). 10 Man beachte etwa die Verwandlung von Libyen vom Schurkenstaat zum willkommenen Exportmarkt, dazu Presse-und Informationsamt der Bundesregierung, Pressemitteilung Nr. 389 [August 2004] zu den deutschlibyschen Handelsbeziehungen.