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The structure of rod-like defects (RLD) is discussed on the basis of diffraction contrast investigations of silicon, boron implanted and subsequently annealed, as well as of electron-bombarded silicon and germanium. It will be shown that the controversial models of Salisbury and Tan et al.can be transformed into one another. Correspondingly, the transition of an interstitial defect from the unbonded state (Salisbury) into the bonded one (Tan) is considered as a possibility to explain the reverse annealing of the electrical activity of doping atoms in boron implanted silicon. Furthermore, on the basis of both the models a nucleation state of RLD is proposed, which is formed by two intersecting { 113) fault planes and which explains both the strongly rectilinear shape of the RLD and the displacement vector in the (loo> direction observed by several authors. Die Struktur von stiibchenformigen Defekten (RLD), die in borimplantiertem und nachfolgend thermisch ausgeheiltem Silizium sowie in elektronenbestrahltem Silizium und Germanium entstehen, wird auf der Basis von Beugungskontrastuntersuchungen diskutiert. Es wird gezeigt, d a B die kontroversen Modelle von Salisbury und Tan et al. ineinander zu uberfuhren sind. Der entsprechende ubergang eines interstitiellen Defektes vom ungebundenen Zustand (Salisbury) in den gebundenen Zustand (Tan) wird als Moglichkeit betrachtet, den negativen Ausheileffekt der elektrischen Aktivitiit von Fremdatomen in borimplantiertem Silizium zu erkliiren. Auf der Grundlage beider Modelle wird weiterhin als Bildungsstadium der RLD eine Kantenanordnung aus zwei sich schneidenden { 113}-Stapelfehlern vorgeschlagen, die die strenge Geradlinigkeit liings der (110)-Richtungen beschreibt und die erkliirt, warum von einigen Autoren fur die RLD ein Verschiebungsvektor in (100)-Richtung gefunden wurde.[9,141.