Graphene has been one of the most vigorously studied research materials. We have developed a program for simulation of graphene field effect transistor (GFET). In this work, we use the simulation program to explore the performance of graphene FET. The simple model of the graphene FET is based on non-equilibrium Green’s function method and first is implemented by using graphic user interface of Matlab. The current-voltage characteristics of the GFET and affects of channel materials, gate materials, size of graphene FET, temperature on the characteristics are explored.

We have developed a simulator for nanoelectronics devices, NEMO-VN2. In this work, we provide an overview of spin field effect transistor. We use the simulator to explore the performance of spin FET. The model of the spin FET is based on non-equilibrium Green function method and implemented by using graphic user interface of Matlab. The current-voltage characteristics such as drain current-voltage, drain current-gate voltage ones are explored.

We have developed a simulator for nanoelectronics devices, NEMO-VN2. In this work we use the simulator to explore the performance of single electron transistor. The model is base on non-equilibrium Green function method and implemented by using graphic user interface of Matlab. The current-voltage characteristics such as drain current-voltage, drain current-gate voltage ones are explored. Some characteristics reproduced by the proposed model are compared with experimental results of single electron transistor and good agreements are validated.

M Đ(U Ph& k gamma s d ng ñ$u dò bán d0n siêu tinh khi t Germani (HPGe) ñư c s d ng ph& bi n trong nhi u lĩnh v c ng d ng k thu t h t nhân vì kh năng phân gi i 1,8 keV t i ñ nh 1332,5 keV c a ngu%n phóng x Co-60, hi u su t ghi cao. Đ c ñi m ñáng lưu ý trong các ph& gamma thu ñư c bao g%m các ñ nh quang và m t n n Compton kèm theo cho nên ñ nh quang càng nhi u thì n n Compton càng cao. V m t công ngh , các hãng ch t o ñ$u dò bán d0n như Canberra, ORTEC ñã phát tri n các lo i ñ$u dò bán d0n Germani siêu tinh khi t v i kh năng phân gi i cao, hi u su t ghi cao và tăng t2 s ñ nh trên Compton (peak-Compton ratio, P/C) nh m nâng cao ñ c trưng c a ph& k gamma. Nh ng ph$n m m cho thu nh n và x lý ph& gamma như Gernie-2000 ñã ñ t t i trình ñ chuyên nghi p cao và thân thi n v i ngư i s d ng [1]. Nhi u c g ng ñ tăng t2 s P/C c a h th ng ph& k gamma s d ng ñ$u dò bán d0n HPGe (hay gi m n n phông Compton) ñã ñư c th c hi n v m t phương pháp bao g%m: 1) phương pháp ñ i trùng nghĩa là tín hi u Compton ñư c s d ng ñ c m thu ph&; 2) phương pháp trùng phùng nghĩa là tín hi u ñ nh quang ñư c s d ng ñ cho phép thu ph& [2, 3]. Phương pháp trùng phùng t&ng ñư c Hoogenboom ñ xu t l$n ñ$u tiên vào năm 1958 s d ng hai ñ$u dò nh p nháy NaI(Tl) [4]

No abstract