Chúng tôi trình bày các đặc trưng về pin năng lượng mặt trời chế tạo với màng mỏng SnS/Ag/SnS được tổng hợp bằng phương pháp phún xạ sóng vô tuyến tần số cao. Cấu trúc này có khả năng tăng cường hiệu suất chuyển đổi quang và độ ổn định cao của pin năng lượng mặt trời nhờ khả năng truyền hạt tải tốt dựa vào sự đồng nhất và liên tục của màng Ag/SnS, giảm dòng điện thất thoát và điện trở tiếp xúc nhỏ dựa vào tiếp xúc ohmic tốt giữa điện cực và lớp TiO2. Linh kiện chế tạo dựa trên cấu trúc SnS/Ag/SnS cung cấp hiệu suất chuyển đổi quang học (h) là 4,83% (mật mật độ dòng quang điện ngắn mạch (JSC) 15,1 mA/cm2, hiệu điện thế hở mạch (VOC) 0,5 V) tại nhiệt độ phòng. Từ kết quả nghiên cứu này, chúng tôi hướng đến khả năng kết hợp giữa một số kim loại quý với vật liệu SnS nhằm nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang điện và độ ổn định của pin năng lượng mặt trời SnS.