The electronic structure of cubic boron nitride without and with fractional ionicity is calculated by the application of the composite wave variational version of the APW method. The main calculations are performed a t the high symmetry points l?, X, and L, and the rest of the band structure is obtained by the tight-binding interpolation scheme of Slater and Koster. The density of states, imaginary part of the dielectric constant, and the effect of pressure on them are calculated and compared with available experimental and theoretical data. Die elektronische Struktur von kubischem Bornitrid mit und ohne Ionizitatsanteil werden durch Anwendung der Variationsversion zusammengesetzter Wellen der APW-Methode berechnet. DieHauptberechnung wird an den hochsymmetrischen Punkten r, X und L durchgefuhrt, und der Rest der Bandstruktur wird mit dem "tight-binding'' Interpolationsschema von Slater und Koster erhalten. Die Zustandsdichte, der Imaginarteil der Dielektrizitatskonstante und ihre Druckabhangigkeiten werden berechnet und mit verfiigbaren experimentellen und theoretischen Werten verglichen.