Dedicated to Prof. Dr. 0. STASIW on the occasion of his 80th birthdayThe EPR spectra of one type of iroll-boron centres detected in low-resistivity B-doped p-silicon after iron doping are investigated in detail. The spectra are characterized by a dominating zerofield splitting and a resolved SHF structure due to the interaction with the boron isotopes and arise from interstitially incorporated Fe+ ions adjacent in < I l l ) directions t o B-ions on substitutional sites. Es werden die EPR-Spektren von einer Art von Eisen-Bor-Zentren genau untersucht, die nachEisendotierung von niederohmigem B-dotiertem p-Silizium beobachtet werden. Die Spektren sind dufch eine dominierende Nullfeldaufspaltung und eine durch die Wechselwirkung mit den Bor-Isotopen aufgeloste SHF-Struktur charakterisiert und werden durch interstitiell eingebaute Fe+-Ionen erzeugt, die den auf Gitterplatz eingebanten B--1onen in den < 111)-Richtungen benachbart sind.Rudower Chaussee 5, DDR-1199 Berlin, GDR.

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The strain induced changes of lineshapes and line positions of EPR transitions in a film-substrate system with elastic cubic symmetry are nnalysed. Thereby it is assumed, that the distributions of stresses and strains in the two-layer system are induced by inhomogeneous plane stresses developed in the film.Die durch Spannungen bewirkten VerSnderungen der Linienformen und Linienlagen von EPRUbergangen in einer Film-Substrat-Anordnung mit elastischer kubischer Symmetrie wird analysiert. Hierbei wird angenommen, daB die Verteilungen der Spannungen und Deformationen in dem Zwei-Schicht-System durch im Film erzeugte inhomogene ebene Spannungen hervorgerufen werden.

The influence of stresses generated by roughening or oxidation of silicon samples on the E P R spectra of Be0 in silicon is investigated. Starting from previous calculations it is possible to explain the changes in the angular dependence of the spectra, and to determine the stress components in the SiO, film and in the Si surface affected by roughening. The stress values determined by the E P R analysis are compared with the results obtained by other methods.Der EinfluB der durch Aufrauhung oder Oxydation von Siliziumproben erzeugten Spannungen auf die E P R Spektren von Feoin Silizium wird untersucht. Ausgehend von friiheren Berechnungen konnen die winkelabhangigen Bnderungen der Spektren erklart und die Spannungskomponenten im SiO,-Film und in der durch Aufrauhung beeintrachtigten Siliziumoberflache bestimmt werden. Die durch die E P R Analyse bestimmten Werte werden mit den Ergebnissen verglichen, die mit anderen Methoden erhalten wurden.