Анотація. Представлено результати експериментального дослідження електропровідності співлегованих азотом (до 4,3 атомних %) та алюмінієм (2,4 атомних %) n-типу плівок ZnO:N:Al, осаджених методом високочастотного магнетронного розпилення на підкладках p-Si. З аналізу температурних залежностей питомого опору й енергії рівня Фермі знайдено енергію іонізації і ступінь компенсації домішок (дефектів), відповідальних за електропровідність досліджених зразків.Ключові слова: плівки ZnO, Al-N співлегування, електропровідність, самокомпенсація Abstract. The results of experimental investigation of conductivity of codoped by nitrogen (up to 4.3 atomic %) and by aluminum (2.4 atomic %) n-type ZnO:N:Al films, deposited by radio frequency magnetron sputtering on p-Si substrates, are presented. Using the analysis of temperature dependences of resistivity and of the energy of the Fermi level, the ionization energy and the degree of compensation

No abstract

No abstract