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Hall effect measurements are described on heat treated and quenched p-type silicon crystals. Donor centres appear a t ( E , + 0.37) eV after this treatment. Introduction and annealing studies indicate that these centres are vacancy clusters. Similar investigations are made on electron irradiated samples.Halleffektmessungen an thermisch behandelten p-leitenden Siliziumkristallen werden beschrieben. Die dabei entstehenden Donatorzentren bei ( E , + 0,37) eV werden im Zusammenhang mit Alterungsuntersuchungen als Leerstellenkomplex gedeutet. Vergleichende Untersuchungen an mit Elektronen bestrahlten Proben werden diskutiert.

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