No abstract

No abstract

No abstract

Уточнены научные данные о зависимости Φ б от приложенного напряжения в области смещений, ограничен-ной отрезками между 0,4...0,6 В, что приводит соответственно и к изменению фактора идеальности n. Установ-лено, что увеличение высоты барьера влияет на фактор идеальности. При рекомендуемом способе термической обработки барьерных переходов Pd/por-GaAs значения фактора идеальности варьируются в диапазоне n=1,39…1,42, согласно результатам расчетов по ВАХ различными методами относительная погрешность изме-рений не превышает ±2%. При небольшой протяженности экспоненциального участка ВАХ для определения высоты потенциального барьера предложенным методом является наиболее точным, поскольку он учитывает последовательное сопротивление и участок ВАХ при V

No abstract