Abstract:The studies of the laser operated third order nonlinear optical features of novel TlGaSn 2 Se 6 crystal were done. The main efforts were devoted to a search of a possibility to apply these crystals as laser operated optoelectronic material. For this reason, the third harmonic generation of the Nd:YAG pulse laser 1064 nm as the fundamental beam with varied energy density of up to 200 J/m 2 was studied. As a source of laser operated light, we have used the cw laser (532 nm), exciting the material above the energy gap. Additionally, the influence of middle-energy Ar + ions on the XPS spectra of the TlInSn 2 Se 6 surface has been explored. We have shown that the main contribution of the Se4p states is manifested in the upper part of the valence band of TlInSn 2 Se 6 We have established that for the TlGaSn 2 Se 6 crystal there exists a possibility of variation of the third harmonic generation efficiency using illumination by external continuous wave laser beam. The discovered effect makes it possible to utilize TlGaSn 2 Se 6 crystal in advanced optoelectronic laser operated devices.

No abstract

No abstract

No abstract

За результатами рентгенофазового аналізу побудовано ізотермічний переріз діаграми стану квазі-потрійної системи Tl 2 Se-In 2 Se 3 -GeSe 2 при 520 K. Підтверджено існування п'яти тернарних та двох тетрарних сполук. Нових сполук не знайдено. Система характеризується утворенням твердих розчинів незначної протяжності на основі вихідних бінарних сполук. Найбільшу область гомогенності має твердий розчин на основі тернарної сполуки TlInSe 2 (до 25 мол. % GeSе 2 ) вздовж квазібінарного перерізу TlInSе 2 -GeSе 2 . Протяжність решти твердих розчинів не перевищує 1 мол. % при 520 K.Ключові слова: квазіпотрійна система, ізотермічний переріз, фазові рівноваги, кристалічна структура.