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Das Titelbild zeigt die Struktur von C 60 F 18 im Kristall. Es ist das erste vollständig charakterisierte aromatische Fulleren mit einem flachen und vollkommen delokalisierten benzoiden Ring im Zentrum des fluorierten Perimeters. Die Bindungen dieses Hexagons sind alle gleich lang (1.372 ). Der nicht mit Fluoratomen substituierte Teil des Moleküls weist die gewöhnliche C 60 -Fullerenstruktur auf, sodass sich insgesamt die Form eines Schildkrötenpanzers ergibt. C 60 F 18 kann möglicherweise als Baustein für Donor-Acceptor-Derivate mit photovoltaischen/photonischen Anwendungen eingesetzt werden, bei denen die durch die elektronenziehende Wirkung der F-Substituenten verminderte Käfigelektronendichte mit einem freien Bereich für die Anbindung von Donormolekülen kombiniert wird. Die einzigartige Geometrie macht diese Verbindung zu einem sechsfach substituierten Benzol, das möglicherweise Metallspezies h 6 -artig koordinieren kann. Einzelheiten zu diesem Schildkröten-Molekül beschreiben Slovokhotov, Boltalina und Taylor et al. auf den Seiten 3411 ff.

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The oxidation resistance of a Y 2 SiO 5 /SiC coating was evaluated by oxidation tests under thermal cycles between room temperature and 1973 K in p O2 ＝440 Pa, which simulates the re-entry of the HOPE-X (H-II Orbiting Plane-Experimental) space shuttle. The Y 2 SiO 5 layer was produced by atmospheric plasma spraying on a CVD-SiC precoated graphite. Addition of the Y 2 SiO 5 layer to the SiC coating improved oxidation resistance of the coating remarkably at the initial stage up to 7 thermal cycles and a spallation of the Y 2 SiO 5 layer accelerated the oxidation of the SiC layer. An in situ observation of the behavior of opening and closing of cracks in the Y 2 SiO 5 layer, and EPMA analysis on the cross section of the coating revealed that the cracks close at high temperature and hardly accelerate oxidation of the SiC layer. High temperature mass spectrometric analysis of the oxidation behavior in p O2 ＝3.2 Pa revealed that suppression of p O2 at the Y 2 SiO 5 /SiC interface by the Y 2 SiO 5 layer prevents active oxidation of the SiC layer and causes an interfacial reaction between Y 2 SiO 5 and SiC.