No abstract

Методом химических транспортных реакций получены однофазные, совершенные по структуре, зеркально-гладкие эпитаксиальные слои теллурида кадмия на подложках сапфира (0001)Аl 2 О 3. Установлено, что оптимальные условия выращивания из паро-газовой фазы совершенных по структуре эпитаксиальные слоев CdTe определяются температурой кристаллизации, величиной пересыщения, а также режимом предварительной обработки поверхности подложек Аl 2 О 3. Получены слои CdTe р-типа проводимости (p=1•10 10-5•10 14 см-3 , µ p = 50-70 см 2 •В-1 •с-1). В результате инверсии проводимости вариацией технологических параметров осаждения получены слои CdTe n-типа проводимости (n=10 13-10 14 см-3 , μ n =610 см 2 В-1 с-1).