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In crossed electric and magnetic fields inside an intrinsic semiconductor a free carrier compression takes place due to the Lorentz force (LF). This leads to a free carrier profile containing regions of enhancement as well as of depletion of free electron-hole pairs. These deviations from the equilibrium concentration lead to a "galvanomagnetic luminescence (GL)" which is positive or negative in relation to the equilibrium temperature radiation. The measured GL spectra of InSb show a double peak at about 5.6 pm wavelength due to g-factor splitting of the Landau level involved. The evaluation of the GL spectra (as function of magnetic field up to 14 T) by means of model calculations leads to the determination of the energy dependent band parameters: effective mass and Lande factor corresponding to the strong nonparabolicity of the conduction band of InSb. The integral radiation output of GL is also measured as function of the LF showing an increase of the quantum efficiency of emission of radiation due to (i) a saturation effect of the surface recombination velocity and (ii) a reduced diffusion length at increasing magnetic field leading to a corresponding profile enhancement.In gekreuzten elektrischen und magnetischen Feldern tritt in Eigenhalbleitern infolge der Lorentzkraft (LK) eine Kompression der freien Ladungstrager auf. In dem entstehenden Dichteprofil treten sowohl Gebiete mit Uberhohung als auch mit Verarmung an freien Elektron-Loch-Paaren auf. Diese Abweichungen von der Gleichgewichtskonzentration fiihren zu einer ,,galvanomagnetischen Lumineszenz (GL)". Diese ist positiv bzw. negativ in Bezug auf die Temperaturstrahlung des thermischen Gleichgewichts. Die gemessenen Emissionsspektren von InSb zeigen bei etwa 5,6 pm Wellenlange eine Doppelbande infolge der g-Faktor-Aufspaltung des beteiligten Landau-Niveaus. Die Auswertung der GL-Spektren (als Funktion des Magnetfeldes bis 14 T) anhand von Modellrechnungen fiihrt zur Bestimmung der energieabhangigen Bandparameter: effektive Masse und Land&-Faktor entsprechend der starken Nichtparabolizitat des Leitungsbandes von InSb. Die integrale Abstrahlung der GL wurde in Abhangigkeit von der LK gemessen, wobei sich ein Anstieg der Quantenausbeute der Strahlungsemission zeigt infolge (i) einer Sattigung der Oberflachenrekombinationsgeschwindigkeit und (ii) einer mit wachsendem Magnetfeld reduzierten Diffusionslange, was zu einer entsprechenden Profilverstarkung fiihrt.

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