The effective masses of the electrons in monatomic and diatomic crystals are derived on the basis of one-dimensional models and in the framework of a relevant transfer matrix. From the general expression thus obtained the particular cases corresponding to all possible band edges of models with &function potentials are deduced. In certain special cases the effective mass characterizing the diatomic crystal may be expressed throughthe effective masses in the two monatomic crystals.Auf der Grundlage eindimensionaler Modelle und im Rahmen einer relevanten Transfermatrix werden die effektiven Massen der Elektronen in monoatomaren und diatomaren Kristallen bestimmt. Aus dem so erhaltenen allgemeinen Ausdruck werden spezielle Falle entsprechend aller moglichen Bandkanten von Modellen mit 6-Funktion-Potentialen abgeleitet. In bestimmten speziellen Fallen kann die den diatomaren Kristall charakterisierende effektive Masse durch die effektiven Massen der beiden monoatomaren Kristalle ausgedriickt werden.

The necessary and sufficient conditions for the existence of interface states in a heterojunction between a one-atomic and a two-atomic crystal are derived on the basis of a linear model using the scattering theoretical method of Saxon and Hutner. A discussion of the general features of the above conditions and their interpretation is given and particular cases are visualized applying numerical analysis.Die Existenzbedingungen fur diskrete Interface-Niveaus, die an der Grenze zwischen einem einatomaren und einem zweiatomaren Kristall lokalisiert sind, werden mit Hilfe der Saxon-Hutner-Methode der 8-und R-Matrizen abgeleitet. Ein lineares Model1 mit 8-Potentialen ist der Diskussion solcher diskreten Energieniveaus zugrunde gelegt, und es wird deren Abhangigkeit von bestimmten Kristallparametern abgeleitet und numerisch berechnet.

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