A doubly ionizable acceptor (binding energies of EA = 34.5 meV, EC = 102 meV), which is responsible for the hole concentration in undoped GaSb, is identified by photoluminescence experiments at 2 K. Growth experiments, using nonstoichiometric melts, show that this acceptor is connected with a lack of antimony in the crystals. Experimental photoluminescence data, concerning the free exciton recombination at 810 meV and an emission line at 795.5 meV (possibly a bound exciton) as well as new phonon satellites, are presented. Finally, photoconductance measurements at the same samples give further information about excitons in GaSb.

The energies of the free exciton and of four excitons bound to neutral acceptors (Ao, X) are determined by either reflection, absorption, or emission with high purity p-type GaSb. The data give evidence that bound excitons may be described alternatively as an electron bound by a donor-like A+-centre. For one particular deep A+-centre, transitions from neutral donor states to that A+-centre are observed besides the bound exciton decay. p-GaSb is especially favourable for observing deep A+-centres, because of the position of the Fermilevel. Conditions under which they may be observable for other 111-V compounds are discussed.Die Energien des freien Exzitons und von vier an neutrale Akzeptoren gebundenen Exzitonen (Ao, X) wurden aus Reflexions-, Absorptions-und Emissionsspektren von hochreinem p-leitendem GaSb bestimmt. Die MeBergebnisse deuten darauf hin, daB gebundene Exzitonen als Donator-iihnliche A+-Zentren mit einem gebundenen Elektron beschrieben werden konnen. Bei einem bestimmten, tiefen A+-Zentrum wurden neben dem Zerfall des gebundenen Exzitons die Rekombination von Elektronen von neutralen Donatorzustlnden mit dem Loch dieses A+-Zentrums beobachtet. p-GaSb ist wegen der Lage des. Ferminiveaus fur die Beobachtung tiefer A+-Zustiinde besonders geeignet. Es werden Bedingungen diskutiert, unter denen auoh in anderen 111-V-Halbleitern A+-Zustiinde beobachtbar sein sollten.

No abstract

No abstract

No abstract