Hall effect measurements are described on heat treated and quenched p-type silicon crystals. Donor centres appear a t ( E , + 0.37) eV after this treatment. Introduction and annealing studies indicate that these centres are vacancy clusters. Similar investigations are made on electron irradiated samples.Halleffektmessungen an thermisch behandelten p-leitenden Siliziumkristallen werden beschrieben. Die dabei entstehenden Donatorzentren bei ( E , + 0,37) eV werden im Zusammenhang mit Alterungsuntersuchungen als Leerstellenkomplex gedeutet. Vergleichende Untersuchungen an mit Elektronen bestrahlten Proben werden diskutiert.

a m p r a t h 2 )Mit 6 Abbildungen Inhaltsiibersicht Das ultrarote Absorptionsspektrum des amorphen Selens wird untersucht und an der Bandkante eine exponentielle Abhangigkeit des Absorptionskoeffizienten von der Energie des eingestrahlten Lichtes festgestellt. Die Ergebnisse von F a n und Caldwell werden reproduziert. Dazu konnte eine von G o b r e c h t und A. T a u s e n d gefundene bei 9 , l p m gelegene Bande bestatigt werden. Die homogene Mischschmelze Selen-Tellur und Selen-Arsen liiBt sich amorph unterkuhlen und zeigt die fur feste Losungen charakteristische Eigenschaft. Bei Dotierung des reinen Selens mit geringen Wismutmengen erhiilt man sehr starke Verschiebungen der Bandkante, die als Einengung der Breite der verbotenen Zone durch Storniveaus (tailing off nach P a r m e n t e r ) gedeutet werden konnen. EinleitungDie optische Absorption des Tellurs, des hexagonalen und amorphen Selens war Gegenstand einer umfangreichen Arbeit von Caldwell und Fans). Es wurden dasverhalten an der Bandkante, die Gitterschwingungen im Ultraroten und die Absorption durch freie Ladungstrager untersucht. Die folgende Arbeit beschaftigt sich im AnschluB daran mit dem EinfluB von Fremdsubstanzen auf die optischen Eigenschaften des amorphen Selens.

No abstract

Zum Problem d e r thermiaohen Aksntoren In GermaniumIn Germanium laasen elcb be1 hohen Temperaturen thermieche Akzeptoren erseugen. Auf Grund der Brbeiten von HIRBgI und INUISHI aowie HIRAKI and v i e l e r anderer Autoren werden dleee thermisahen Akzeptoren negen der e q o n e n t i e l l e n hbhbglgkeit ibrer Konzentratlon von der Temperatur und I n Verbindung mit den gemeaeenen Abl6eearbeiten als einfache Leerstelle gedeutet. In Widerspruch h a stehen neuere Axbelten (Fm;LER,WQLFSTIRN,W), d i e den erponentlellen Zusammenhang nicht reproducleren konnten. Die Lage der Niveaua ergab alch zaiaahen O,O3 eV und 0,-eV iiber dem Valenaband (HIBdKI). Von m R und WOLFSTIT(R nerden 0.02 eV bie O,O3 eV angefiihrt.