Приводятся результаты исследований кристаллической структуры областей кремния, перекристаллизо-ванных в процессе термомиграции жидкой кремний-алюминиевой зоной. Подобные области, легированные акцепторной примесью, необходимы для получения высоковольтных фотопреобразователей.С помощью рентгеновских дифракционных методов двухкристальных кривых отражения и топографии, а также просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения установлено, что при проведении термомиграции жидких зон в виде серии тонких полос или прямоугольных сеток формируются монокристал-лические области. Выявлены дислокационные полупетли, которые лежат в поверхностных слоях лицевой и тыльной сторон подложки. В перекристаллизованных областях обнаружены {311}-дефекты.