В докладе представлены экспериментальные данные распределения множественных сбоев в блоках памяти в составе системы на кристалле (СнК), изготовленной по технологии 40 нм. С помощью инструмента Geant4 проведено моделирование взаимодействия ионов с веществом микросхемы, которое потенциально объясняет наличие сбоев с экстремально высокой кратностью.

В докладе представлены результаты моделирования ядерного взаимодействия одиночных заряженных частиц с материалом микросхемы. Показано, что вторичные частицы от данного типа взаимодействия могут повлиять на эффективность систем парирования сбоев в интегральных микросхемах.