We carried out a structural-spectroscopic study of AlGaN/GaN epitaxial layers grown by molecular-beam epitaxy with nitrogen plasma activation on a hybrid substrate containing layers of silicon carbide and porous silicon. Using X-ray diffractometry, Raman and photoluminescence spectroscopy, it is shown that thin films formed on a hybrid substrate have minimal residual stresses and intense photoluminescence.

Сообщается о влиянии режимов травления и их комбинации на дизайн, микроструктурные и оптические свойства податливых подложек на основе пористого кремния. На основе данных комплекса микроструктурных и спектроскопических методов анализа показано, что при неизменных параметрах кристаллической решетки величина остаточных напряжений, размер кристаллитов, объем кристаллической фракции, а также отражательная способность и энергия прямых переходов в пористом слое кремния зависят от комбинации режимов травления, однако не всегда коррелируют с величиной пористости слоя, рассчитанной из анализа SEM изображений. Ключевые слова: Si, пористый слой, податливая подложка.