A method for calculation of the I – V characteristic is proposed for a detector of visible and near-IR electromagnetic radiation based on artificial diamond with allowance for vertical flow of electric current. The method can be used when the free-path length of carriers in diamond is less than the scale of variations in the concentration of carriers. The method is used to determine the following detector characteristics: the dependence of current on voltage, distribution of carrier concentration, and electric potential for a particular variant of a photodetector based on polycrystalline diamond film consisting of nanosized single crystals doped with boron.

В результате теоретического и экспериментального анализа найдены параметры гетероструктур с квантовыми точками InAs в матрице GaAs, обеспечивающие создание на таких структурах быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки для ближней инфракрасной области. Квантовые точки должны располагаться на сильно легированном (вплоть до концентрации легирующей примеси 1019 см-3) буферном слое GaAs и отделяться от металла тонким (толщиной 10-30 нм) нелегированным покровным слоем GaAs. Граница раздела металла (например, золота) с GaAs обеспечит эффективное рассеяние поверхностных плазмон-поляритонов в обычные фотоны в случае, если она имеет неоднородности в виде заполненных металлом впадин в GaAs с характерным размером ~30 нм и поверхностной концентрацией, превышающей 1010 см-2.