Исследованы оптические свойства кристаллов полуизолирующего арсенида галлия (АГЧП), подвергнутого мультиэнергетической имплантации ионов водорода и обработке в высокочастотном электромагнитном поле, в инфракрасной области спектра. Установлено, что такая комбинированная обработка позволяет существенно повысить пропускание кристалла АГЧП до величин, характерных для кристаллов хорошего оптического качества. На основе анализа результатов исследования пропускания и отражения АГЧП в инфракрасной области спектра, спектров комбинационного рассеяния света, морфологии поверхности методом атомно-силовой микроскопии предложена физическая модель, объясняющая наблюдаемые эффекты. Модель учитывает взаимодействие радиационных дефектов с исходными дефектами структуры АГЧП, а также эффект компенсации дефектных центров водородом в процессе высокочастотной обработки.