The specific features of the electron spectra of II–VI and III–V semiconductor quantum dots are studied experimentally and theoretically. Analysis of the samples makes it possible to estimate the positions of the first three levels in the electron spectrum of the quantum object. Good qualitative and quantitative agreement between the experimental results and theoretical estimates is attained. It is shown that the mechanism of the experimentally observed field-emission current through a quantum dot is satisfactorily described by Morgulis–Stratton theory in experimental conditions.

Представлены систематизированные результаты исследований свойств полупроводников InAs, InSb, GaAs в мультизеренной структуре на основе измерений и анализа вольт-амперных и спектральных характеристик. Установлено, что процессы эмиссии и инжекции электронов определяются эффектами локализации состояний в объеме и в приповерхностной области субмикронных зерен. Обнаружены и исследованы явления ограничения тока и низкополевой эмиссии, характерные для квантовых точек. Результаты могут быть использованы в исследованиях и при разработках мультизеренных структур для газовых и оптических сенсоров, приемников и излучателей инфракрасного и терагерцового диапазонов.