Films of hafnium oxide (HfO2) were synthesized on a silicon substrate by magnetron sputtering of a target with a similar composition. The results of studies of the structural composition of HfO2 films and the electrical properties of metal-insulator-semiconductor (Ni-HfO2-n-Si) structures are presented.

Сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST) синтезированы на платинированные кремниевые подложки методом ВЧ-распыления. На выращенные пленки методом электронно-лучевого распыления сформированы верхние электроды из никеля, алюминия, меди и хрома. Представлены результаты исследований электрофизических свойств полученных гетероструктур металл--диэлектрик--металл (МДМ) (Ме-BST-Pt-Si). Ключевые слова: сегнетоэлектрические пленки BST, структуры металл--диэлектрик--металл (МДМ), микроструктура, электрофизические свойства.

В работе исследуется влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiO3 при формировании на кремниевые подложки p-типа с ориентацией [100]. Экспериментально установлено, что увеличение температуры синтеза приводит к улучшению диэлектрических и пьезоэлектрических свойств сегнетоэлектрических пленок. Показана температурная стабильность и устойчивость в поведении вольтфарадных характеристик МДП-структур от числа циклов переключения. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, микроструктура, сканирующая зондовая микроскопия, вольтфарадные характеристики, емкость, циклы переключения.