Экспериментально исследована фотолюминесценция с временным разрешением структуры брэгговских монослойных квантовых ям InAs в матрице GaAs. Путем сравнения спектров фотолюминесценции, измеренных с торца и с поверхности образца, установлено, что брэгговское упорядочение квантовых ям приводит к существенному изменению спектров фотолюминесценции, в частности к появлению дополнительных мод. Спектр фотолюминесценции, измеренный с торца образца, содержит одну линию, соответствующую основному состоянию экситона. В спектре излучения, измеренном с поверхности образца, при высоких уровнях возбуждения появляется дополнительная линия излучения, частота и направление распространения которой соответствуют брэгговскому условию для квантовых ям. Проведенный расчет модового фактора Парселла объясняет факт усиления спонтанной эмиссии излучения только для определенных углов распространения и частот излучения, а не для всех направлений распространения и частот, удовлетворяющих брэгговскому условию.