Слои GaMnAs, сформированные импульсным лазерным осаждением, изучались с помощью экваториально-го эффекта Керра (ЭЭК), спектральной эллипсометрии, магнитометрии, а также измерений сопротивления и эффекта Холла. Установлены режимы получения магнитно неоднородных слоев, содержащих обогащенные Mn ферромагнитные области, отличающиеся составом и размерами. Слои, сформированные при температуре 300• C, демонстрируют ферромагнитное поведение ниже 80 K, которое обусловлено присутствием в пара-магнитной матрице локальных ферромагнитных областей (Ga, Mn)As. Обсуждается природа особенностей в спектре ЭЭК этих слоев.Работа выполнена в рамках реализации государственного задания -проект 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России и при поддержке РФФИ (гранты 15-02-02077_а, 15-02-07824_а, и 16-07-01102_а).

Экспериментально исследованы слои полупроводников InAs, InSb и GaSb, сильнолегированных железом в процессе выращивания методом импульсного лазерного нанесения. Установлено, что наилучшими температурами для формирования слоев на подложках GaAs(100) являются 250 • C (InSb : Fe), 300 • C (InAs : Fe) и 350 • C (GaSb : Fe). При высоких концентрациях Fe (более 10 at.%) слои обладают ферромагнитными свойствами, выражающимися в появлении петли гистерезиса на магнитополевых зависимостях сопротивления Холла, отрицательного магнетосопротивления и в некоторых случаях-намагниченности ферромагнитного типа при комнатной температуре измерений. Атомы железа не изменяют тип проводимости слоев; при этом слои InAs : Fe, InSb : Fe обладают проводимостью n-типа, а GaSb : Fep-типа за счет собственных точечных дефектов. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания-проект № 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России и при поддержке РФФИ (гранты № 17-37-80008_мол_эв_а, 16-07-01102_а).