A model of spontaneous formation of the core-shell structure in (In,Ga)As nanowire grown via molecular beam epitaxy without independent radial growth is proposed. Within the framework of the proposed model, the distribution of In across the axis of the nanowire was fitted.

Предложена модель для расчета состава самокаталитических нитевидных нанокристаллов, не содержащая подгоночных параметров. Показано, что состав нитевидных нанокристаллов Ga(As, P) не зависит от скорости роста при фиксированном отношении суммарных потоков атомов V и III групп. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментально наблюдаемой зависимостью состава нитевидных нанокристаллов от соотношения потоков атомов As и P. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы Ga(As,P), молекулярно-пучковая эпитаксия, самокаталитический рост, количественный расчет состава.