Наноструктурированные пленки с ферромагнитными слоями широко используются в наноэлектронике, сенсорных системах и телекоммуникации. Свойства нанопленок могут существенно отличаться от объемных материалов, что обусловлено влиянием интерфейсов, промежуточных слоев и диффузии. В данной работе развиваются методы спектральной эллипсометрии и магнитооптики для исследования оптических парамет-ров и процессов намагничивания для двух-и трехслойных пленок типа Cr/NiFe, Al/NiFe, Сr(Al)/Ge/NiFe на ситалловой подложке для различных толщин слоев Cr и Al. При толщине слоя меньше 20 nm имеется существенная зависимость комплексных коэффициентов преломления от толщины. Процессы перемагничи-вания двухслойных пленок слабо зависят от толщины верхнего слоя, однако значение коэрцитивности при перемагничивании трехслойных пленок может увеличиться более, чем в два раза, при увеличении толщины верхнего слоя с 4 до 20 nm.Результаты работы получены в рамках выполнения государственного задания Минобрнауки (задача 3.8022.2017.ВУ).

No abstract

No abstract

Проведено исследование температурного поведения высокочастотного магнитоимпеданса (МИ) в аморфных микропроводах в стеклянной оболочке вплоть до температуры Кюри TC. Использовались образцы из сплава Co27.4Fe5B12.26Si12.26Ni43.08 с низкой температурой Кюри (TC~48oC) и отрицательной магнитострикцией. Вблизи TC кривые импеданса сохраняют характерное поведение для материалов с циркулярной анизотропией, но чувствительность МИ по отношению к полю резко снижается. Изменение импеданса с температурой становится значительным только в присутствие внешнего магнитного поля. При повышении температуры от комнатной до TC относительное изменение импеданса может достигать 140-275% в области частот 0.1-0.9 GHz и магнитном поле ~10 Oe. С учетом нахождения TC в практически важной температурной области, полученные результаты интересны для разработки миниатюрных температурных сенсоров, в том числе бесконтактных встраиваемых сенсоров. Ключевые слова: аморфные сплавы, МИ-эффект, циркулярная анизотропия, спин-ориентационный переход.