A low power CMOS current mode bandgap reference circuit with low temperature coefficient of output voltage

Adimulam, Mahesh Kumar; Movva, Krishna Kumar

doi:10.1109/primeasia.2012.6458643

Cited by 8 publications

(3 citation statements)

References 8 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Phần thứ 3 sẽ trình bày về mạch BGR đề xuất với mạch OPA và mạch điều chỉnh điện áp tham chiếu đầu ra, kết quả mô phỏng mạch được giới thiệu trong phần 4 và cuối cùng là kết luận. Mạch BGR thông thường được thể hiện như trên Hình 1 [14]. Mạch OPA được sử dụng để đảm bảo sự cân bằng về điện áp tại hai điểm V1 và V2.…”

Section: Giới Thiệuunclassified

“…Theo nguyên lý hoạt động của đi-ốt, các đi-ốt có cùng dòng cực C nhưng có diện tích cực E khác nhau cũng tạo ra nguồn điện áp CTAT nhưng với biên độ khác nhau. Sự khác nhau về điện áp giữa các đi-ốt này được tìm thấy là PTAT [14].…”

Section: Giới Thiệuunclassified

“…Dòng cực C của bóng bán dẫn lưỡng cực được xác định như: V là điện áp nhiệt bằng / kT q . Từ đó theo [14] thì điện áp đầu ra mạch BGR trở thành: [14]. Giá trị điện áp tham chiếu này không phù hợp với các công nghệ có điện áp nguồn cung cấp thấp.…”

Section: Tổng Quan Về Mạch Bgrunclassified

See 2 more Smart Citations

MẠCH TẠO ĐIỆN ÁP THAM CHIẾU ỔN ĐỊNH ĐẠT ĐƯỢC 6.8 ppm/oC TRÊN CÔNG NGHỆ CMOS 180 nm

Thao¹,

Thọ²

2022

TNUJST

View full text Add to dashboard Cite

Bài báo này trình bày về thiết kế mạch tạo điện áp tham chiếu ổn định (Bandgap Voltage Reference: BGR) không phụ thuộc vào sự thay đổi của quy trình công nghệ, nhiệt độ và điện áp nguồn cung cấp (Process, Temperature, Voltage: PVT) ứng dụng cho các mạch điện tử yêu cầu điện áp tham chiếu có độ chính xác cao tích hợp trên chip. Mạch BGR đề xuất đạt được hệ số nhiệt độ (Temperature Coefficient: TC) thấp bằng cách kết hợp sử dụng mạch khuếch đại thuật toán (Operational Amplifier: OPA) có hệ số khuếch đại cao và kỹ thuật điều chỉnh điện áp đầu ra. Ngoài ra, mạch OPA được thiết kế với mạch phân áp cho các bóng bán dẫn nằm bên trong mạch nên tăng khả năng tích hợp trên chip. Mạch BGR với kỹ thuật điều chỉnh điện áp đầu ra đề xuất được thiết kế trên công nghệ CMOS 180 nm. Kết quả mô phỏng thể hiện mạch tạo ra điện áp tham chiếu ổn định 0,6 V và tiêu thụ công suất 54,36 µW với điện áp nguồn cung cấp 1,8 V. Hệ số nhiệt độ trung bình đạt được là 6,8 ppm/oC cho khoảng nhiệt độ rộng từ -40oC đến 125oC và chất lượng điều chỉnh tuyến tính là 0,12 %/V. Tỷ số loại bỏ tạp âm nguồn cung cấp tại 1 kHz, 100 kHz và 1 MHz tương ứng là 51,3 dB, 32,4 dB và 20,1 dB.

show abstract

Section: Giới Thiệuunclassified