A study of the third-order nonlinear susceptibility and nonlinear absorption of inas in the middle infrared region

Abstract

⋍10-7 СГСЭ существенно превышают значения, вычисленные на основе модели, описывающей нелинейную восприимчивость электро-нов, находящихся в непараболичной зоне проводимос-ти. Показано, что наблюдаемое расхождение устра-няется, если в расчете учесть диссипацию энергии электронов. Рост эффективности при четырехвол-новом взаимодействии в узкозонных полупроводниках ограничивается нелинейным поглощением взаимодей-ствующих волн Ключевые слова: нелинейная восприимчивость третьего порядка, четырехволновое взаимодействие, узкозонные полупроводники, порог пробоя UDC 621.373.826