A two-point tuning LC VCO with minimum variation of K<inf>VCO2</inf> for quad-band GSM/GPRS/EDGE polar transmitter in 65-nm CMOS

Abstract

A two-point tuning VCO with switchable secondary tuning gain K VCO2 is designed in 65nm CMOS for a two-point modulation PLL-based phase modulator that is to serve as phase-modulating part of a quad-band GSM/GPRS/EDGE polar transmitter. The two-point tuning VCO employs two varactor banks for dual tuning capability. The second varactor bank is a differentially tuned structure and its gain K VCO2 is switchable to minimize its variation for maintaining optimum second-point modulation gain. Fabricated in 65nm CMOS, the VCO draws 8 mA from 2 V supply. It covers the 2930 -4150 MHz. The phase noise is -142dBc/Hz at 10MHz offset for 3.9 GHz output frequency. The silicon area of the VCO and accompanying dividers is 810 x 600 Pm 2 .

Nanometrinių ir submikroninių integrinių grandynų įtampa ir skaitmeniniu būdu valdomiems generatoriams kūrimas ir tyrimas

“…Fazės triukšmas išreiškiamas dBc/Hz ir yra neigiamos vertės. Apžvelgtuose šaltiniuose fazės triukšmas kinta nuo −83,82 dBc/Hz (Jeong et al, 2012) ties 1 MHz nuokrypio dažniu iki −142,10 dBc/Hz (Kim et al, 2013) ties 10 MHz nuokrypio dažniu. Reikia atkreipti dėmesį, kad analizėje kai kuriais atvejais ℒ reikšmės pateiktos ties skirtingais nuokrypio dažniais (paaiškinimai pateikti 1.2 lentelės pabaigoje).…”