About Performance Linearity of the Environment Gas Humidity Capacitive Sensors Based on Silicon Mos Structures With a Nanodimensional Silicon Oxide

Abstract

Анотація. Спостережувана експериментально лінійність робочої характеристики ємнісних сенсо-рів вологості газових середовищ на основі кремнієвих МОН -структур з нанорозмірним оксидним шаром, що знаходяться в режимах збіднення або слабкої інверсії, обґрунтована теоретично. Отрима-ний вираз для розрахунку робочої характеристики адекватно описує експериментальні залежності. Показано, що лінійність робочої характеристики обумовлена лінійністю зміни поверхневого потенці-алу структури від вологості, а лінійність поверхневого потенціалу визначається параметрами структу-ри та лінійністю зміни щільності поверхневих станів на межі розділу кремній -оксид.Ключові слова: сенсор вологості, робоча характеристика, лінійність, ємність, МОН -структура ABOUT PERFORMANCE LINEARITY OF THE ENVIRONMENT GAS HUMIDITY CAPACITIVE SENSORS BASED ON SILICON MOS STRUCTURES WITH A NANODIMENSIONAL SILICON OXIDE P. P. Fastykovsky, M. A. GlaubermanAbstract. Experimentally observed performance linearity of the environment gas humidity capacitive sensors based on silicon MOS structures with a nanodimensional silicon oxide being in depletion or weak inversion modes, is theoretically grounded. The obtained expression for the