Advances in TlBr detector development

TlHgInS3: An Indirect-Band-Gap Semiconductor with X-ray Photoconductivity Response

“…The electron µτ product for the TlHgInS 3 crystal was estimated at (µτ) e = 3.6 × 10 -4 cm 2 /V. This value is lower than those of the commercial grade CZT ((µτ) e = 4.5 × 10 -2 cm 2 /V) 6 and TlBr ((µτ) e = 6.5 × 10 -3 cm 2 /V) 29 . However, the estimated µτ products of both carriers for the title compound are comparable to other promising detector-grade crystals such as HgI 2 ((µτ) e = 8 × 10 -4 cm 2 /V, (µτ) h = 3 × 10 -5 cm 2 /V) 6 and PbI 2 ((µτ) e = 5 × 10 -4 cm 2 /V, (µτ) h = 2 × 10 -6 cm 2 /V).…”

“…28 CZT is the commercial benchmark solid state semiconductor for γ-ray detector which possesses high µτ products for electrons and holes as a measure of their performance in radiation detection, (µτ) e ~ 4.5 × 10 -2 cm 2 /V and (µτ) h ~ 1 × 10 -4 cm 2 /V. 6 TlBr 29 and HgI 2 6 also…”

Experimental Determination of the Ionization Energy in TlBr

“…Pixelated TlBr detectors have demonstrated energy resolutions of 1.22% full width at half maximum (FWHM) [5] and 0.73% FWHM [6] for 662-keV gamma rays at room temperature and at , respectively. Detailed descriptions of TlBr detectors can be found in a recent review article [7].…”

Электрически Активные Состояния Захвата И Переноса Заряда, Обусловливающие Медленную Рекомбинацию В Кристаллах Бромида Таллия При Низких Температурах

“…Более того, одной из главных проблем, которая по существу по-прежнему ограничивает практическую при-менимость TlBr, является наличие ионной проводимо-сти, сильно зависящей от температуры [6], что вызы-вает неустойчивость характеристик устройств [7]. Это приводит, например, к ухудшению спектроскопических характеристик из-за поляризационных эффектов, если устройства работают при комнатной температуре [2].…”