ANÁLISE DE CÉLULAS SOLARES P+NN+ EM SILÍCIO GRAU SOLAR COM EMISSOR OBTIDO POR BBr

Abstract

A indústria de células solares baseia-se na fabricação de dispositivos com estrutura n+pp+, com emissor de fósforo e campo retrodifusor de alumínio. Entretanto, estudos têm demonstrado que a exposição à radiação solar pode causar a degradação das características elétricas destes dispositivos, o que não foi observado em células solares fabricadas em silício tipo n. Uma das estruturas possíveis em substratos tipo n é a p+nn+, que é geralmente constituída por um emissor frontal formado pela difusão de boro e campo retrodifusor formado pela difusão de fósforo. Com o objetivo de desenvolver células solares de estrutura p+nn+, processos experimentais de fabricação foram realizados para dispositivos com emissor homogêneo obtido por BBr3. Observou-se que as características elétricas das células solares fabricadas em silício grau solar tipo n são altamente afetadas pelo número de passos térmicos de alta temperatura. A eficiência máxima obtida em dispositivos com emissor formado por BBr3 foi de 12,7 %. Em uma comparação entre dispositivos com emissor p+ formado por BBr3 e a partir de PBF20 (solução alcoólica de boro) depositado por spin-on, observou-se que o uso do BBr3 e a sequência de passos térmicos não são adequados para a fabricação de células solares p+nn+ em lâminas de silício grau solar.