“…Під час розробки математичної моделі високовочастотного напівпровідникового перетворювача використовувався метод багатопараметричних модулюючих функцій [6,8]. Приймались припущення, що вхідна мережа є симетричною, її внутрішній опір дорівнює нулю, транзистори і діоди ІВН є ідеальними ключами, трансформатори не мають втрат, а навантаження має активно-індуктивний характер.…”