Band‐edge discontinuities and interface potential step in the two‐band narrow‐gap approach

Abstract

Relations between band-edge discontinuities and interface potential step are derived in theframework of the two-band narrow-gap approach and in terms of gap-attached bulk properties of the two semiconductors in epitaxial contact. The expressions, initially deduced for energy gaps opened a t the centre or edges of the corresponding Brillouin zones, are subsequently extended to include the more general case of gaps opened in other points inside the Brillouin zones.Mit EIilfe der Zweibandapproximation der schmalen Energielucke werden Relationen, die die Leitungs-und Valenzbandkanten-Diskontinuitaten mit dem Potentialsprung an der Grenzflache verbinden, abgeleitet. Die Ausdriicke werden zuerst fur die Energieliicken im Zentrum oder an der Grenze der Brillouin-Zonen dargestellt nnd nachher fur Energielucken a n anderen Punkten im .Inneren der beiden Brillouin-Zonen verallgemeinert.