Caractérisation électronique d'interfaces profondes Al-InP

Abstract

Des interfaces Al-InP (110) et (100) préparées par différentes méthodes ont été caractérisées par I-V, C-V, SCS, EXES. Ces mesures confirment l'existence sur InP n d'une hauteur de barrière significative (> 0,35 eV) et sensible à la méthode de préparation. Elles mettent en évidence la présence d'états d'interface discrets pour les échantillons clivés, ou répartis dans un continuum pour ceux ayant subi un nettoyage chimique. Des modifications très nettes de la densité des états p du phosphore sont observées aux différentes interfaces par rapport à InP en volume. Ceci implique la présence d'une zone interfaciale perturbée sur plusieurs dizaines d'angströms