Представлены результаты ab initio исследований электронных и оптических свойств твёрдых растворов CdSe 1x S x (x 0,125-0,875). Рассчитаны электронные плотности состояний и энергетический спектр твёрдых растворов CdSe 1x S x с шагом x 0,125. Óстановлена концентрационная зависимость ширины запрещённой зоны. Определена динамика изменения основных оптических параметров (диэлектрической проницаемости, показателя преломления, коэффициента отражения) с содержанием серы. Приводятся результаты экспериментальных исследований наноразмерных тонких плёнок CdSe 1x S x (x 0,301). Тонкие плёнки были получены методом химического осаждения на кварцевые подложки. Анализ полученных плёнок и морфологии поверхности проводили с использованием рентгеновской флуоресценции и растровой электронной микроскопии. Óстановлена зависимость ширины запрещённой зоны от времени осаждения тонких плёнок. Рассчитан средний размер кристаллитов и плотность дислокаций тонкой плёнки CdSeS.Ключові слова: тонкі плівки, електронний енергетичний спектр, густина станів електронів, оптичні параметри.