Control of a resonant tunneling structure by intense laser fields

Kırklareli Üniversitesi Mühendislik Ve Fen Bilimleri Dergisi

GÜMÜŞ

2022

Çoklu (Dört, Beş) kare kuyu tel sistemine dışarıdan uygulanan elektrik ve manyetik alan etkisi altında elektronun bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin, dışarıdan uygulanan etkilere ve tel sayısına bağlılığı gösterildi. Çoklu kuantum kuyu yapısı GaAs ve AlxGa1-xAs yarıiletken malzemeden oluşturuldu. Tel yapıya elektrik alan pozitif x doğrultusunda ve manyetik alan ise eksi z yönünde olacak şekilde seçildi. Hesaplamada sonlu farklar yöntemi kullanıldı. Bağlanma enerjisinin farklı alanlar altında tel sayısına bağlılığı gösterildi. Ayrıca dışarıdan uygulanan alanların, elektronun gördüğü potansiyele ve elektronun bulunma olasılığına etkisi gösterildi. Bu tür yapıların detaylı incelenmesi, hem yapının elektronik özelliklerinin teorik olarak anlaşılmasını sağlayacak, hem de teknolojik cihaz üretiminde daha ekonomik bir yol gösterecektir.

Section: Introductionunclassified

Çoklu Kuantum Tel Kuyularinda Elektri̇k Alan Ve Manyeti̇k Alan’in Elektroni̇k Özelli̇klere Etki̇si̇

Kırklareli Üniversitesi Mühendislik Ve Fen Bilimleri Dergisi

GÜMÜŞ

2022

“…Son yılların popüler çalışmaları ise eşit potansiyel engelli simetrik ve asimetrik kuantum yapılarında elektron geçişleri, lazer alan altında incelenmiş, potansiyel profilleri ve geçiş katsayısının lazer giydirme parametresine bağlılığı gösterilmiştir [13,14].…”

Section: Introductionunclassified

Tek Ve Çi̇ft Kare Kuyu Telleri̇nde Elektri̇k Alan Ve Manyeti̇k Alan’in Elektroni̇k Özelli̇klere Etki̇si̇

Kırklareli Üniversitesi Mühendislik Ve Fen Bilimleri Dergisi

GÜMÜŞ

2022

Tek ve çift kare kuyu tel sistemine dışarıdan uygulanan elektrik ve manyetik alan etkisi altında elektronun bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin, tel sayısına ve dışarıdan uygulanan alan etkilerine bağlılığı gösterildi. Kare kuyu tel yapısı GaAs ve AlxGa1-xAs yarıiletken malzemeden oluşturuldu. Tel yapıya elektrik alan artı x doğrultusunda ve manyetik alan ise eksi z doğrultusunda olacak şekilde seçildi. Hesaplamada sonlu farklar yöntemi kullanıldı. Bağlanma enerjisinin farklı alanlar altında tel sayısına bağlılığı gösterildi. Ayrıca dışarıdan uygulanan alanların, elektronun gördüğü potansiyele ve elektronun bulunma olasılığına etkisi gösterilmiştir. Bu tür yapıların detaylı incelenmesi, hem yapının elektronik özelliklerinin teorik olarak anlaşılmasını sağlayacak, hem de teknolojik cihaz üretiminde daha ekonomik bir yol gösterecektir.

“…Dışarıdan uygulanan elektrik alanın bağlama enerjisi ve tel geometrisi üzerindeki etkileri detaylı bir şekilde incelenmiştir [3][4][5][6][7][8][9]. Son yıların popüler çalışmaları ise eşit potansiyel engelli simetrik ve asimetrik kuantum yapılarında elektron geçişleri, lazer alan altında incelenmiş, potansiyel profilleri ve geçiş katsayısının lazer giydirme parametresine bağlılığı gösterilmiştir [10,11].…”

Section: Introductionunclassified

Üçlü Kuantum Teli̇nde Elektri̇k Alan Ve Lazer Alan’nin Elektroni̇k Özelli̇klere Etki̇si̇

Kırklareli Üniversitesi Mühendislik Ve Fen Bilimleri Dergisi

UYAR

2020

Üçlü kare kuyu tel sistemine dışarıdan uygulanan elektrik ve lazer alan etkisi altında hidrojenimsi yabancı atom bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin dışarıdan uygulanan etkilere duyarlılığı, farklı tel boyutları dikkate alınarak gösterildi. Üçlü kuantum kuyu yapısı GaAs ve AlxGa1-xAs yarıiletken malzemeden oluşturuldu. Uygulanan elektrik alan tel eksenine dik ve lazer alan tel eksenine paralel olacak şekilde seçildi. Hesaplamalarda sonlu farklar nümerik yöntemi kullanıldı. Hesaplamalar sonucu elektron bant enerjilerinin uygulanan alanlar ve tel boyutlarına nasıl bağlı olduğu gösterildi. Bu tür yapıların elektronik özelliklerinin teorik olarak anlaşılması, teknolojik yeni cihazların geliştirilmesi için ekonomik bir yöntemdir.