Direct surface relief formation by e-beam in amorphous chalcogenide layers

Direct surface patterning of amorphous chalcogenide layers with high- energy H+ and He+ ion beams

“…3a). For electron beam (30 keV and current 5 nA, total energy per hump 750 μJ and height ~ 1.1 μm [37]) the maximum of efficiency (efficiency depends on scanning frequency) is ~ 1.5 nm/μJ. That shows 4 times higher efficiency of ion beam patterning in comparison with efficiency of electron beam recording.…”

Лазерно-индуцированные фазовые превращения в стеклообразных пленках Se, полученных вакуумно-термическим испарением

“…Кроме того, известно, что под действием света, а также лазерного и электронного облучения Se изменяет свои электрические, фотоэлектрические и оптические свойства [2][3][4][5][6]. Это делает его интересным модельным объектом для научных исследований.…”

“…В последнее время предприняты попытки осуществления релаксации аморфной структуры пленок в более устойчивое состояние путем создания поверхностного рельефа [6,7,12,13], дополнительного морфологического разупорядочения при их лазерной модификации с энергией возбуждения лазера, близкой к энергии оптической щели [14], и их изотермического отжига вблизи T g [11,15,16]. В основном внимание исследователей уделено структуре и свойствам кристаллического гексагонального Se, а также серого стеклообразного Se [3,4,17].…”