Dose Dependence of Semiconductor Material Conductivity as a Means of High Fluence Dosimetry

Vikhliy, G. A.; Karpenko, A.Ya.; Litovchenko, P.G.

doi:10.1093/oxfordjournals.rpd.a031723

Cited by 2 publications

(2 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Є спостереження, коли в радіяційному полі, окрім просторових структур, виникають часові дисипативні структури: автоколиван-ня температури, густини взаємодійних частинок, циклічна зміна деяких властивостей матеріялу [3,[42][43][44][45][46][47]. Так, досліджувалися властивості плутонію, в якому значну частку становив ізотоп 238 Pu [3]; цей ізотоп (як, втім, й інші ізотопи Pu) схильний до радіоактив-ного розпаду.…”

Section: експериментальні дослідження явища просторово-періодичного вunclassified

“…Спостереження автоколивань температури при опроміненні в ре-акторі органічного кристалу CH 4 досліджувалися в роботі [43]. В керамічних матеріялах і напівпровідниках спостерігалися осциля-ції провідности, які пов'язані з наявністю дефектів [44][45][46]. Також простежувалися осциляції (автоколивання) мікротвердости в мід-ній фользі, яку було опромінено електронами та йонами [47].…”

Section: експериментальні дослідження явища просторово-періодичного вunclassified

See 1 more Smart Citation

Physical Kinetics of Redistribution of Point Defects in Irradiated Crystals

Oliinyk

Tatarenko

2012

Usp. Fiz. Met.

View full text Add to dashboard Cite

Дано огляд літературних даних експериментальних спостережень самоор-ганізації дисипативних структур у кристалах під опроміненням. Розгляну-то вплив опромінення на стійкість однорідного розподілу густини точкових дефектів та утворення ними дисипативних модульованих структур на по-верхні та в об'ємі твердого тіла. Зазначено теоретичні підходи щодо опису умов утворення таких структур.Literary review of experimental data concerned with the observation of the self-organization of dissipative structures in crystals under irradiation is presented. An influence of irradiation on the stability of the homogeneous distribution of density of point defects and the formation of their dissipative modulated structures on the surface and in the bulk of a solid is considered. Theoretical approaches to the describing of the conditions of formation of such structures are mentioned.Обозреваются литературные данные экспериментальных наблюдений са-моорганизации диссипативных структур в кристаллах при облучении. Рас-смотрено влияние облучения на устойчивость однородного распределения плотности точечных дефектов и образования ими диссипативных модули-рованных структур на поверхности и в объёме твёрдого тела. Отмечены теоретические подходы к описанию условий образования таких структур.Ключові слова: опромінення, вакансії, нестійкість, самоорганізація, диси-пативна структура, модульована структура, нанопори, надґратниця.

show abstract

Section: експериментальні дослідження явища просторово-періодичного вunclassified

Physical Kinetics of Redistribution of Point Defects in Irradiated Crystals

Oliinyk

Tatarenko

2012

Usp. Fiz. Met.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Self-oscillations in solid methane irradiated by electrons

Bludov¹,

Khyzhniy²,

Savchenko³

et al. 2020

Nucl. Phys. At. Energy

View full text Add to dashboard Cite

The formation of self-oscillations of temperature and concentration of radicals in an electron-irradiated methane film at low temperatures has been investigated experimentally and theoretically. Self-oscillations arise due to the activation nature of diffusion and radical recombination processes. Self-oscillations were studied experimentally by measuring the desorption of particles from an irradiated sample and theoretically by solving the kinetic equations for defects in a methane sample. Concentration self-oscillations of two types of particles have been found and investigated; namely, hydrogen atoms and CH3 radicals formed during the irradiation of methane by electrons. It is shown that with an increase in the irradiation intensity, the oscillation periods decrease, and the calculation value are of the order of magnitude observed in the experiment. A model of a manifestation of the self-oscillation of hydrogen molecule concentration during desorption is presented.

show abstract

Dose Dependence of Semiconductor Material Conductivity as a Means of High Fluence Dosimetry

Cited by 2 publications

References 0 publications

Physical Kinetics of Redistribution of Point Defects in Irradiated Crystals

Physical Kinetics of Redistribution of Point Defects in Irradiated Crystals

Self-oscillations in solid methane irradiated by electrons

Contact Info

Product

Resources

About