ABSTRAKPengaruh oksidasi setelah deposisi terhadap sifat film tipis ZnO:Ga telah dipelajari. Film dideposisi menggunakan metode dc magnetron sputtering pada suhu 300 o C selama 1 jam, kemudian dilakukan variasi oksidasi menggunakan gas oksigen purity 99,99% dengan tekanan 0 mTorr dan 50 mTorr pada suhu 300 o C selama 20 menit. Berdasarkan hasil SEM, ukuran butir film menunjukkan perubahan menjadi lebih besar pada tekanan oksigen 50 mTorr dibandingkan pada tekanan oksigen 0 mTorr. UV-Vis spektrofotometer menunjukkan transmitansi film pada cahaya tampak meningkat seiring dengan meningkatnya tekanan oksigen mencapai sekitar ~83%. Celah pita energi yang dihasilkan film tipis ZnO:Ga pada tekanan oksigen 0 mTorr dan 50 mTorr masing-masing 3,32 eV dan 3,4 eV.