Elastic moduli, raman spectra and thermal conductivity of chalcogenide Ge-As-S glass system

Abstract

При різному способі зміни складу вздовж розрізів As 2 S 3 -GeS 2, As 2 S 3 -Ge 2 S 3 середня координація не визначає одні і ті ж самі пружні властивості і таку ж структуру ближнього порядку. При відхиленні складу потрійних стекол від складу стекол псевдобінарного розрізу As 2 S 3 -GeS 2 і збільшенні відношення Ge/S від 0.50 (GeS 2 ) до 0.66 (Ge 2 S 3 ) в крайніх членах розрізів As 2 S 3 -GeS 2, As 2 S 3 -Ge 2 S 3 , відповідно, в матриці структури потрійних стекол As 2 S 3 -Ge 2 S 3 , з ростом відношення Ge/S в області проміжних складів наростає виділення нанофаз реальгару, парареальгару (As 4 S 4 ) та диморфіту (As 4 S 3 ). Для обох розрізів в області проміжних складів з нанофазними виділеннями спостерігається зменшення теплопровідності. Ключові слова: халькогенідні стекла, Раманівська спектроскопія, нанофазні включення, середнє координаційне число, реальгар, теплопровідність стекол, повздовжні пружні модулі.