EMF Induced in a p–n Junction under a Strong Microwave Field and Light

Температурная Зависимость Ширины Запрещенной Зоны, Обусловленная Колебаниями Решетки И Тепловым Уширением Энергетических Уровней

“…Расчет по формуле (14) и соотношение Кейса учитывают взаимодействие электронов с колебаниями решетки и тепловым расширением, но не учитывают уширение энергетических уровней зоны проводимости и валентной зоны. Как показано в работах [22,23], термическое уширение энергетических уровней приводит к уменьшению ширины энергетических щелей. Термическое уширение дискретных уровней − чисто статистический эффект и не зависит от механизмов взаимодействия электронов с колебаниями решетки.…”

“…Изменение ширины запрещенной зоны с температурой, учитывающее только взаимодействие электронов с колебаниями решетки, недостаточно для объяснения экспериментальных результатов [18][19][20]. Поэтому необходимо учитывать термическое уширение плотности состояний, которое зависит от критической концентрации N k [22,23,25]. Последняя определяется чувствительностью измерительного прибора и метода измерения ширины запрещенной зоны.…”

“…Для описания зависимости E g (T) было использовано соотношение, полученное Пасслером [21]. В работах [22][23] моделированием процесса термического уширения плотности состояний полупроводника исследованы температурные зависимости ширины запрещенной зоны Ge и Si. Показано, что температурное уширение энергетических состояний зоны проводимости и валентной зоны может существенно изменить ширину запрещенной зоны и вместе с другими известными механизмами объяснить температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника.…”